Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 16
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,404.5 left arrow 12.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    24 left arrow 104
    Wokół strony -333% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 6400
    Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    104 left arrow 24
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,192.0 left arrow 16.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,404.5 left arrow 12.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    786 left arrow 2925
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania