RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
104
Wokół strony -333% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2925
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link