Comparaison de la RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Note globale

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

3 16

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,404.5 12.5

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 104

Autour de -333% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 6400

Autour de 3 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

786 2925

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns