RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
104
Около -333% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2925
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link