RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
51
Около -34% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
9.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2107
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link