RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
51
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2107
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link