RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сравнить
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB против Panram International Corporation M424016 4GB
-->
Средняя оценка
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Средняя оценка
Panram International Corporation M424016 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
49
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
1,681.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,204.9
12.6
Скорость записи, Гб/сек
1,681.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
324
2035
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Panram International Corporation M424016 4GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link