RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB

Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB против Panram International Corporation M424016 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB

Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB

Средняя оценка
star star star star star
Panram International Corporation M424016 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB Причины выбрать
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 12.6
    Среднее значение в тестах
Panram International Corporation M424016 4GB Причины выбрать
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 49
    Около -58% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.9 left arrow 1,681.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 4200
    Около 4.57 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    49 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,204.9 left arrow 12.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,681.5 left arrow 9.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    4200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    324 left arrow 2035

Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB Сравнения RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB

Panram International Corporation M424016 4GB Сравнения RAM

Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
модули RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
модули RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
модули RAM