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Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
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Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB vs Panram International Corporation M424016 4GB
Pontuação geral
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Pontuação geral
Panram International Corporation M424016 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation M424016 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
49
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
1,681.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
4200
Por volta de 4.57 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,204.9
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,681.5
9.9
Largura de banda de memória, mbps
4200
19200
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
324
2035
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB Comparações de RAM
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Panram International Corporation M424016 4GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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