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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
64
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
64
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
2197
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
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