Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

Punteggio complessivo
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    43 left arrow 64
    Intorno 33% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.3 left arrow 8.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18 left arrow 13.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 12800
    Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 64
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.2 left arrow 18.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.3 left arrow 8.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2285 left arrow 2197
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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