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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
比較する
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
総合得点
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
総合得点
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
43
64
周辺 33% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.3
8.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18
13.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
64
読み出し速度、GB/s
13.2
18.0
書き込み速度、GB/秒
9.3
8.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2285
2197
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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