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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
64
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
64
读取速度,GB/s
13.2
18.0
写入速度,GB/s
9.3
8.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2197
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
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Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
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