RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
64
Около 55% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
64
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link