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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
64
En 55% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
64
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2181
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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