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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
49
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2660
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
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