RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
49
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
35
Velocità di lettura, GB/s
10.2
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2660
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link