RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
33
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
21
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3211
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBALT 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link