RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
92
Autour de -163% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
35
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3045
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link