RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
92
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3045
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link