RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
33
Autour de -27% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
26
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2728
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link