RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
26
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2728
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link