RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
75
Autour de 56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
75
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
1548
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link