RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
75
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
75
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
1548
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link