RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
41
Autour de 20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
41
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2993
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link