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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
35
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
35
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3242
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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