RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 35
    周辺 6% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 16.2
    テスト平均値
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 12.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    17.6 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2910 left arrow 3242

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
メモリRAM