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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
33
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
31
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3040
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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