RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
33
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.9
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
32
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3372
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link