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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
17.6
19.9
写入速度,GB/s
12.0
14.9
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3372
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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