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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
30
读取速度,GB/s
16.8
17.8
写入速度,GB/s
10.8
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
3568
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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