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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
59
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
37
读取速度,GB/s
4,168.0
16.3
写入速度,GB/s
1,855.7
10.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2658
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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