RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
83
Autour de 60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
83
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
1774
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link