RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
83
Por volta de 60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
83
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
1774
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2B1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link