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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
49
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
6.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2238
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
AMD R538G1601U2S 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
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