RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
36
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
36
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3009
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link