RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Comparez
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Note globale
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
33
Autour de -10% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
30
Vitesse de lecture, GB/s
18.5
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
13.8
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3341
3551
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link