RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Comparez
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Note globale
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
33
Autour de -10% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
30
Vitesse de lecture, GB/s
18.5
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
13.8
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3341
3551
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link