RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
17.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
18.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3341
3551
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link