RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
36
Autour de -50% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
2408
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link