RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
36
Autour de -50% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
2408
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link