RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de -33% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
2324
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link