RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
41
Autour de 12% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
41
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
2847
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link