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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
3465
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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