RAM-Vergleich Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB

Gesamtnote

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 36

Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

18.8 15.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.6 11.8

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2497 3465

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns