RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Comparez
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
40
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
39
40
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2448
1789
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link