RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Confronto
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
40
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
39
40
Velocità di lettura, GB/s
13.9
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2448
1789
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link