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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Comparez
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Note globale
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
13
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
41
Autour de -5% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
2808
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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