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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Comparar
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
13
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
41
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2322
2808
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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