RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Comparez
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Note globale
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
55
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
55
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
2665
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link