RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Comparez
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Note globale
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
42
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
2831
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link