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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Comparez
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Note globale
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
122
Autour de 66% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
122
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
5.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
1411
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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