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Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Comparez
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB vs AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
37
Autour de -95% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
37
19
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2422
3189
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
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