RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB

Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB против AMD R538G1601U2S 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB

Средняя оценка
star star star star star
AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB Причины выбрать
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
AMD R538G1601U2S 8GB Причины выбрать
AMD R538G1601U2S 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    19 left arrow 37
    Около -95% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.4 left arrow 13
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.3 left arrow 7.7
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    37 left arrow 19
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.0 left arrow 18.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.7 left arrow 12.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2422 left arrow 3189

Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB Сравнения RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения